全文获取类型
收费全文 | 507131篇 |
免费 | 62725篇 |
国内免费 | 42172篇 |
专业分类
电工技术 | 46971篇 |
综合类 | 57760篇 |
化学工业 | 61141篇 |
金属工艺 | 36118篇 |
机械仪表 | 37206篇 |
建筑科学 | 39468篇 |
矿业工程 | 22783篇 |
能源动力 | 13093篇 |
轻工业 | 55051篇 |
水利工程 | 18070篇 |
石油天然气 | 17667篇 |
武器工业 | 8741篇 |
无线电 | 52856篇 |
一般工业技术 | 40093篇 |
冶金工业 | 19630篇 |
原子能技术 | 8480篇 |
自动化技术 | 76900篇 |
出版年
2024年 | 1610篇 |
2023年 | 7807篇 |
2022年 | 20098篇 |
2021年 | 25443篇 |
2020年 | 18269篇 |
2019年 | 12572篇 |
2018年 | 13409篇 |
2017年 | 15312篇 |
2016年 | 13728篇 |
2015年 | 22574篇 |
2014年 | 28812篇 |
2013年 | 33573篇 |
2012年 | 43462篇 |
2011年 | 45320篇 |
2010年 | 43534篇 |
2009年 | 41294篇 |
2008年 | 42936篇 |
2007年 | 42039篇 |
2006年 | 35625篇 |
2005年 | 29029篇 |
2004年 | 20856篇 |
2003年 | 13475篇 |
2002年 | 12563篇 |
2001年 | 11516篇 |
2000年 | 8972篇 |
1999年 | 3159篇 |
1998年 | 827篇 |
1997年 | 603篇 |
1996年 | 470篇 |
1995年 | 422篇 |
1994年 | 280篇 |
1993年 | 330篇 |
1992年 | 296篇 |
1991年 | 175篇 |
1990年 | 191篇 |
1989年 | 229篇 |
1988年 | 139篇 |
1987年 | 93篇 |
1986年 | 94篇 |
1985年 | 49篇 |
1984年 | 67篇 |
1983年 | 58篇 |
1982年 | 47篇 |
1981年 | 88篇 |
1980年 | 167篇 |
1979年 | 109篇 |
1965年 | 16篇 |
1964年 | 10篇 |
1959年 | 106篇 |
1951年 | 111篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
寒区河道凌汛灾害河势“弯道效应”的量化评估十分重要。基于分形理论提出河道横断面-纵剖面-平面多维度河势分形维数计算方法及其物理机制,并探讨黄河内蒙古段不同维度河势演变分形特征及其与凌汛灾害的关联关系。结果表明,黄河内蒙古段不同维度河势均具有多尺度自相似分形特征,且具有多年记忆周期的长程相关性;冰坝(严重性冰塞)发生频次与河道主槽弯曲分形维数呈正相关指数型函数关系,与河相系数、深泓点高程和河段平均底坡分形维数负相关,与水深-面积分形维数正相关,总体表明冰坝灾害更易发生于主槽偏移摆动大、蜿蜒曲折、河湾发育程度高的宽浅型弯曲河道,研究成果可为凌汛期冰塞冰坝灾害易发河段诊断及预测提供重要理论依据。 相似文献
102.
104.
针对高帧频、全局曝光和光谱平坦等成像应用需求,设计了一款高光谱成像用CMOS图像传感器。其光敏元采用PN型光电二极管,读出电路采用5T像素结构。采用列读出电路以及高速多通道模拟信号并行读出的设计方案来获得低像素固定图像噪声(FPN)和非均匀性抑制。芯片采用ASMC 0.35μm三层金属两层多晶硅标准CMOS工艺流片,为了抑制光电二极管的光谱干涉效应,后续进行了光谱平坦化VAE特殊工艺,并对器件的光电性能进行了测试评估。电路测试结果符合理论设计预期,成像效果良好,像素具备积分可调和全局快门功能,最终实现的像素规模为512×256,像元尺寸为30μm×30μm,最大满阱电子为400 ke^(-),FPN小于0.2%,动态范围为72 dB,帧频为450 f/s,相邻10 nm波段范围内量子效率相差小于10%,可满足高光谱成像系统对CMOS成像器件的要求。 相似文献
105.
研究了3种微通道板基底羟基化的方法,测量了羟基化处理后微通道板基底表面水接触角及通道端面的形貌变化,分析了各种方法中微通道板基底的亲水性和腐蚀情况。实验结果表明:氨水双氧水溶液对基体表面的亲水性能提升不大,NaOH溶液对基体有腐蚀作用,经食人鱼溶液处理的基体表面亲水性明显提高且无腐蚀作用。研究了微通道板在食人鱼溶液中的浸泡时间和浸泡温度对表面亲水性的影响。结果表明:随着浸泡温度的增加,微通道板表面水接触角先减小后增大,当温度为80℃时达到极小值,浸泡时间对微通道板表面的亲水性影响不大。最终确定了微通道板表面羟基化工艺:浸泡温度为80℃,静置时间为20~60 min。 相似文献
106.
107.
108.
110.